FCPF11N60F 600V/11A 功率MOSFET

FCPF11N60F产品概述

SuperFET® MOSFET 是飞兆半导体第一代利用电荷平衡技术实现出色低导通电阻和更低栅极电荷性能的高压超级结（SJ）MOSFET 系列产品。 这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。 因此，SuperFET MOSFET 非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。 Super-FET FRFET® MOSFET 优化体二极管的反向恢复性能可去除额外元件并提高系统可靠性。

FCPF11N60F产品特性

600 V @ TJ = 150°C

典型值 RDS(on) = 320 mΩ

快速恢复类型 (trr = 120 ns)

超低栅极电荷（典型值 Qg = 40 nC)

低有效输出电容（典型值 Coss(eff.) = 95 pF)

100% 经过雪崩击穿测试

符合 RoHS 标准

FCPF11N60F一般信息数据列表FCPF11N60F;标准包装50包装管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列SuperFET™

规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）600V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）52nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1490pF @ 25VVgs（最大值）±30VFET 功能-功率耗散（最大值）36W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）380 毫欧 @ 5.5A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-220F封装/外壳TO-220-3 整包