STB80NF10 100V/80A/TO-263/N沟道功率MOS管

特殊的dv / dt的能力

面向应用的表征

100％的雪崩测试

STB80NF10概述

该电源MOSFET系列产品实现了与意法半导体独有的STripFET进程专门设计以减少输入电容和栅极电荷。因此，它是适合作为先进的高初级开关效率的隔离式DC -DC转换器，电信和计算机应用。它也被用于低栅极电荷驱动的应用程序要求。

STB80NF10应用

切换应用程序

STB80NF10产品技术参数

通道类型N最大连续漏极电流80 A最大漏源电压100 V最大漏源电阻值0.015 Ω最大栅阈值电压4V最小栅阈值电压2V最大栅源电压±20 V封装类型D2PAK安装类型表面贴装引脚数目3通道模式增强类别功率 MOSFET最大功率耗散300 W配置单典型栅极电荷@Vgs135 nC@ 10 V典型输入电容值@Vds5500 pF@ 25 V最高工作温度+175 °C高度4.6mm典型关断延迟时间116 ns典型接通延迟时间26 ns每片芯片元件数目1工作温度-55 °C宽度9.35mm长度10.4mm尺寸10.4 x 9.35 x 4.6mm