STD3NK100Z 场效应管 特价 原装进口

STD3NK100Z 特点TypeVDSSRDS(on) MaxIDPTOTSTF3NK100Z1000V< 6Ω2.5A25WSTP3NK100Z1000V< 6Ω2.5A90WSTD3NK100Z1000V< 6Ω2.5A90W■极高的dv / dt的能力

■100%雪崩测试

■栅极电荷最小化

■非常低的内在的功放

■生产重复性很好

STD3NK100Z 应用

■切换应用程序

STD3NK100Z 描述

在超网™系列是通过获得ST的极端优化完善的条形基础的PowerMESH™布局。此外推导通电阻显著下来，取菜，保证了很好的dv / dt能力要求最苛刻的应用程序。这种系列的补充ST全系列高电压功率MOSFET 。

STD3NK100Z 一般信息

数据列表STx3NK100Z;标准包装2,500包装标准卷带类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列SuperMESH™规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）2.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4.5V @ 50μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）18nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）601pF @ 25VVgs（最大值）±30VFET 功能-功率耗散（最大值）90W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）6 欧姆 @ 1.25A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装DPAK封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63