FDB5800 80A/N沟道逻辑电平

FDB5800产品概述

N沟道逻辑电平 PowerTrench® MOSFET 60V，80A，6mΩ

FDB5800产品特性

RDS(on) = 4.6mΩ （典型值） @ VGS = 10V, ID = 80A

高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)

低栅极电荷

高功率和高电流处理能力

符合 AEC Q101 标准

符合 RoHS 标准

FDB5800产品应用

电动工具

电机驱动器和不间断电源

FDB5800产品技术参数

通道类型N最大连续漏极电流80 A最大漏源电压60 V最大漏源电阻值0.0126 Ω最小栅阈值电压1V最大栅源电压±20 V封装类型TO-263AB安装类型表面贴装晶体管配置单引脚数目2+Tab通道模式增强类别功率 MOSFET最大功率耗散242 W宽度11.33mm每片芯片元件数目1工作温度-55 °C典型栅极电荷@Vgs104 nC @ 10 V典型输入电容值@Vds6625 pF@ 15 V高度4.83mm最高工作温度+175 °C长度10.67mm尺寸10.67 x 11.33 x 4.83mm晶体管材料Si典型接通延迟时间20.3 ns典型关断延迟时间27.1 ns