H5PS1G63JFR-Y5C 原装进口 H5PS1G63JFR-Y5C单价用途用法

2013年11月15日海力士在无锡增资25亿美元，此次签约的五期项目将从29纳米提升至25纳米级,并争取提升至10纳米级,预计到2016年完成该项技术升级。

2013年09月4日下午3:30左右，无锡Hynix厂房起火，原因未知。

2012年02月韩国第三大财阀SK集团入主Hynix，更名SKhynix。

2009年05月成立中国无锡市后续工程合作社

04月世界最先开发低耗电-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM

03月世界最先发表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 产品认证

02月世界最先开发44nm DDR3 DRAM

01月世界最先获得关于以伺服器4GB ECC UDIMM用模块为基础的超高速DDR3的英特尔产品认证。

2008年 12月世界最先开发2Gb Mobile DRAM

11 月引进业界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM

08月清州第三工厂的300mm组装厂竣工

世界最先推出使用MetaRAMtm 技术的16 GB 2-Ran kR-DIMM

为引进崭新而创新性NAND闪存存储器产品及技术的Numonyx及海力士的努力扩大

05月与ProMOS公司签署关于加强长期战略性合作的修改案

04月为撤回对海力士DRAM的相计关税的EU理事会的措施表示欢迎开发出世界最高速Mobile LPDDR2

02月引进2-Rank 8GB DDR2 RDIMM

01月签署关于在对下一代不挥发性存储器技术的共同R&D程序上进行合作的合同

2008年发表00MHz、1GB/2GB UDIMM 产品认证

品牌

HYNIX

型号

H5PS1G63JFR-Y5C

封装

BGA

批号

2013

单价

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