FQA11N90C 900V, 11.0A, 场效应MOS管

FQA11N90C产品概述

该N沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。

FQA11N90C产品特性

11A, 900V, RDS(on) = 1.1Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 5.5A栅极电荷低（典型值：60nC)

低 Crss（典型值23pF)

100% 经过雪崩击穿测试

符合 RoHS 标准

FQA11N90C产品值

FQA11N90C产品参数

数据列表FQA11N90C_F109;标准包装30包装管件类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列QFET®规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）900V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）80nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）3290pF @ 25VVgs（最大值）±30VFET 功能-功率耗散（最大值）300W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）1.1 欧姆 @ 5.5A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-3P封装/外壳TO-3P-3，SC-65-3