供应IPP045N10N3及INFINEON全系列MOSFET

地区:江苏 苏州
认证:

苏州欧尔佳电子科技有限公司

普通会员

全部产品 进入商铺
数据列表 IPB042N10N3 G, IP(I,P)045N10N3 G
产品相片 TO-220-3
标准包装 ?  500
类别

分立半导体产品

家庭

FET - 单

系列 OptiMOS™
包装 ?  管件 ? 
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4.5 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 150μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 117nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 8410pF @ 50V
功率 - 最大值 214W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220-3
型号/规格

IPP045N10N3

品牌/商标

INFINEON(英飞凌)

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

管装

功率特征

小功率