供应MDF4N60TH 及MAGNACHIP全系列MOSFET

标准包装：1,000

类别：分离式半导体产品

家庭：FET - 单

系列：QFET™

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点：标准型

漏极至源极电压(Vdss)：600V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4.4A

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2.2 欧姆 @ 2.2A，10V

Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250μA

闸电荷(Qg) @ Vgs：20nC @ 10V

输入电容 (Ciss) @ Vds：670pF @ 25V

功率 - 最大：106W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商设备封装：TO-220F