STF24N60M2封装TO-220FP场效应管MOSFET

地区:广东 深圳
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产品编号:STF24N60M2

描述:通孔 N 通道 600 V 18A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP

产品属性STF24N60M2
类型
描述STF24N60M2
选择 
类别
制造商
STMicroelectronics
系列
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)
190 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)
29 nC @ 10 V
Vgs(大值)
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)
1060 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(大值)
30W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220FP
封装/外壳
TO-220-3 整包










型号/规格

STF24N60M2

品牌/商标

ST(意法半导体)

封装形式

TO-220FP

环保类别

无铅环保型

安装方式

通孔

包装方式

管件