FDS4435BZ封装SOIC-8场效应管MOSFET原装

地区:广东 深圳
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产品编号:FDS4435BZ

描述:表面贴装型 P 通道 30 V 8.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOIC

产品属性FDS4435BZ
类型
描述FDS4435BZ
选择 
类别
制造商
onsemi
系列
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.8A(Ta)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)
20 毫欧 @ 8.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)
3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)
40 nC @ 10 V
Vgs(大值)
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)
1845 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(大值)
2.5W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)










型号/规格

FDS4435BZ

品牌/商标

ON(安森美)

封装形式

SOIC-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装