产品详情

FDS4435BZ封装SOIC-8场效应管MOSFET原装

地区：广东 深圳
认证： 无

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产品编号：FDS4435BZ

描述：表面贴装型 P 通道 30 V 8.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC

产品属性FDS4435BZ
类型
描述FDS4435BZ
选择 
类别
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.8A（Ta）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
20 毫欧 @ 8.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
40 nC @ 10 V
Vgs（大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
1845 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（大值）
2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）










型号/规格

FDS4435BZ

品牌/商标

ON（安森美）

封装形式

SOIC-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装