FDC6327C封装 SOT-23-6 MOSFET N/P-CH 20V

地区:广东 深圳
认证:

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产品编号:FDC6327C

描述:MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 2.7A,1.9A 700mW 

          表面贴装型 SuperSOT™-6

产品属性FDC6327C
类型
描述FDC6327C
选择 
类别
制造商
onsemi
系列
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.7A,1.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)
80 毫欧 @ 2.7A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)
1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)
4.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)
325pF @ 10V
功率 - 大值
700mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装
SuperSOT™-6










型号/规格

FDC6327C

品牌/商标

ON(安森美)

封装形式

SOT-23-6

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装