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FDC638P封装TSOT-23-6场效应管MOSFET原装

地区：广东 深圳
认证： 无

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产品编号：FDC638P

描述：表面贴装型 P 通道 20 V 4.5A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT™-6

产品属性FDC638P
类型
描述FDC638P
选择 
类别
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.5A（Ta）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
48 毫欧 @ 4.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
14 nC @ 4.5 V
Vgs（大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
1160 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（大值）
1.6W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SuperSOT™-6
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6










型号/规格

FDC638P

品牌/商标

ON（安森美）

封装形式

TSOT-23-6

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装