产品详情

NTR1P02LT1G封装SOT-23-3场效应管原装现货

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市三禾民有电子有限公司

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产品编号：NTR1P02LT1G

描述：表面贴装型 P 通道 20 V 1.3A（Ta） 400mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）

产品属性NTR1P02LT1G
类型
描述NTR1P02LT1G
选择 
类别
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.3A（Ta）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
220 毫欧 @ 750mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
1.25V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
5.5 nC @ 4 V
Vgs（大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
225 pF @ 5 V
FET 功能
-
功率耗散（大值）
400mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3










型号/规格

NTR1P02LT1G

品牌/商标

ON（安森美）

封装形式

SOT-23-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装