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产品属性
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MOSFET/场效应管 AO3400
产品型号:AO3400
产品封装:SOT-23
产品品牌:HC/浩畅
是否环保:无铅环保
包装:3000PCS
N沟道增强型功率MOSFET
漏极-源极电压(VDS):30V
漏极电流(ID):5.8A
漏源电流脉冲IDM:30A
栅源电压(VGS): ±12V
结温(TJ):150℃
储存温度(TSTG):-55~150℃
耗散功率(PD):1.4W
栅源极开启电压VGS(th):0.7 ~ 1.4V
栅源截至电流IGSS(F/R): ±100nA
深圳贴片MOS管制造厂家现货批发原装低压MOS场效应管: SI2300
SI2301 SI2302 SI2303 SI2304 SI2305 SI2306 SI2307 SI2312
SI2314 SI2321 SI2323 SI2308 SI2309 SI2311 AO3400 AO3401
AO3402 AO3404 AO3406 AO3407 AO3409 AO3415 AO3416
AO4435 SI9435 SI9926 SI4953 SI8205S SI8205A IRLML2402
IRLML2502 IRLML6401 IRLML6402 XP
BSS138 FDN338 2SK3018等低压MOS场效应管!
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^8~10^9Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 场效应管属于电压控制元件,这一特点类似于电子管,但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的,与双极型晶体管相比,场效应管具有如下特点。 特点 (1)场效应管是电压控制器件,它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏极电流); (4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数; (5)场效应管的抗辐射能力强; (6)由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低。 AO3400场效应管
AO3400
HC/浩畅
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率