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产品属性
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4N60C为N沟道增强型高压功率MOS场效应管。该产品广泛适用于AC-DC开关电源, DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。
4N60C高压MOS场效应管产品特点:
4A,600V,RDS(on)(典型值)1.97Ω
低电荷、低反向传输电容
开关速度快
漏极—漏极电压(VDS):600V
漏极电流(ID):4A
栅源电压(VGS):±30V
耗散功率(PD):36W
结温(TJ):150℃
储存温度(Tstg):-55~150℃
详细参数:请参照产品规格书或直接来电咨询
4N60C高压MOS场效应管应用领域
深圳市浩畅半导体有限公司成立于2008年, 专~业研发、生产、销售半导体分立器件及IC。选购国内外著~名半导体厂家的晶圆芯片,OEM委托国内半导体封装大厂生产加工。主营贴片二、三极管系列,高、低压MOS系列,电源管理IC(AC-DC/DC-DC), LDO低压差线性稳压器,三端稳压IC,基准源IC,LED驱动IC,降压、升压IC,电压检测,运算放大器,电压比较器,时基电路,功放电路,可控硅,整流桥等系列产品。
4N60C
HC/浩畅
TO-220F/251/252
无铅环保型
直插式
散装
小功率