供应SI2306贴片MOS管（场效应管）

MOSFET/场效应管 SI2306

产品型号：SI2306

产品封装：SOT-23

产品品牌：HC/浩畅

是否环保：无铅环保

最小包装：3000PCS

N沟道增强型功率MOSFET

漏极-源极电压（VDS）:30V

漏极电流（ID）:3.5A

漏源电流脉冲IDM:-15A

栅源电压（VGS）: ±20V

结温（TJ）:150℃

储存温度（TSTG）:-55~150℃

耗散功率（PD）:1.25W

栅源极开启电压VGS(th):1.0 ~ 3.0V

栅源截至电流IGSS(F/R): ±100nA

深圳贴片MOS管专业制造厂家现货批发原装低压MOS场效应管：  SI2300   

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IRLML2502    IRLML6401   IRLML6402 XP151A13A0   XP152A12C0   

BSS138   FDN338   2SK3018等低压MOS场效应管！

N沟道MOS管的结构及工作原理

N沟道金属-氧化物-半导体场效应管(MOS管)的结构及工作原理

结型场效应管的输入电阻虽然可达106～109W，但在要求输入电阻更高的场合，还是不能满足要求。而且，由于它的输入电阻是PN结的反偏电阻，在高温条件下工作时，PN结反向电流增大，反偏电阻的阻值明显下降。与结型场效应管不同，金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）的栅极与半导体之间隔有二氧化硅（SiO2）绝缘介质，使栅极处于绝缘状态（故又称绝缘栅场效应管），因而它的输入电阻可高达1015W。它的另一个优点是制造工艺简单，适于制造大规模及超大规模集成电路。