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产品属性
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MOSFET/场效应管 SI2323
产品型号:SI2323
产品封装:SOT-23
产品品牌:HC/浩畅
是否环保:无铅环保
包装:3000PCS
P沟道增强型功率MOSFET
漏极-源极电压(VDS):-20V
漏极电流(ID):-4.7A
漏源电流脉冲IDM:-20A
栅源电压(VGS): ±8V
结温(TJ):150℃
储存温度(TSTG):-55~150℃
耗散功率(PD):1.25W
栅源极开启电压VGS(th):-0.4 ~ -1.0V
栅源截至电流IGSS(F/R): ±100nA
产品特性
(1)转移特性:栅极电压对漏极电流的控制作用称为转移特性。
(2)输出特性: UDS与ID的关系称为输出特性。
(3)结型场效应管的放大作用:结型场效应管的放大作用一般指的是电压放大作用。
电气特性
场效应管与晶体管在电气特性方面的主要区别有以下几点:
贴片场效应管
1:场效应管是电压控制器件,管子的导电情况取决于栅极电压的高低。晶体管是电流控制器件,管子的导电情况取决于基极电流的大小。 2:场效应管漏源静态伏安特性以栅极电压UGS为参变量,晶体管输出特性曲线以基极电流Ib 为参变量。
3:场效应管电流IDS与栅极UGS之间的关系由跨导Gm 决定,晶体管电流Ic与Ib 之间的关系由放大系数β决定。也就是说,场效应管的放大能力用Gm 衡量,晶体管的放大能力用β衡量。
4:场效应管的输入阻抗很大,输入电流极小;晶体管输入阻抗很小,在导电时输入电流较大。
5:一般场效应管功率较小,晶体管功率较大。
SI2323 SOT-23低压MOS管
SI2323
HC/浩畅
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率