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产品属性
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MOSFET/场效应管 SI2305
产品型号:SI2305
产品封装:SOT-23
产品品牌:HC/浩畅
是否环保:无铅环保
包装:3000PCS
P沟道增强型功率MOSFET
漏极-源极电压(VDS):-20V
漏极电流(ID):-4.1A
漏源电流脉冲IDM:-15A
栅源电压(VGS): ±12V
结温(TJ):150℃
储存温度(TSTG):-55~150℃
耗散功率(PD):1.7W
栅源极开启电压VGS(th):-0.45 ~ -1.0V
栅源截至电流IGSS(F/R): ±100nA
深圳贴片MOS管制造厂家现货批发原装低压MOS场效应管: SI2300
SI2301 SI2302 SI2303 SI2304 SI2305 SI2306 SI2307 SI2312
SI2314 SI2321 SI2323 SI2308 SI2309 SI2311 AO3400 AO3401
AO3402 AO3404 AO3406 AO3407 AO3409 AO3415 AO3416
AO4435 SI9435 SI9926 SI4953 SI8205S SI8205A IRLML2402
IRLML2502 IRLML6401 IRLML6402 XP
BSS138 FDN338 2SK3018等低压MOS场效应管!
什么是MOS管:
MOS管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后,在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。另一种晶体管,叫做场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance,定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
场效应管的名字也来源于它的输入端(称为gate)通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体,所以FET管的GATE电流非常小。普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管,或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。因为MOS管更小更省电,所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
SI2305
HC/浩畅
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率