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联系人:朱先生制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:800 VId-连续漏极电流:84 ARds On-漏源导通电阻:80 mOhms最大工作温度:+ 150 C配置:Single商标名:CoolMOS封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:4.4 mm 长度:10 mm 系列:CoolMOS C3 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:9.25 mm 商标:Infineon Technologies 产品类型:MOSFET 工厂包装数量:1000 子类别:MOSFETs 零件号别名:IPB80R290C3AATMA1 IPB8R29C3AXT SP000457710 单位重量:4 g
Q Q:2099320098
我们从来没有想过高通会推出去年秋季宣布的骁龙855芯片的升级版,但这确实发生了——一些高性能旗舰产品将得到了它。不仅是游戏手机——安卓旗舰手机也是如此。
高通公司在一份新闻稿中解释说,骁龙855 Plus旨在使游戏、AI和XR超越原始芯片的能力。比较骁龙855和骁龙855 Plus的规格列表,你会发现没有太大变化 - 除了在高通Kryo 485 Octa核心CPU驱动下,更高的2.67 GHz时钟速度。
装在骁龙855 Plus中的Adreno 640 GPU比标准的骁龙 855大约增了加15%的性能。
换句话说,性能的这种轻微增加将假定提高了任务的性能上限-例如游戏或AI处理-这需要大量芯片组的资源。
鉴于该芯片组刚刚在7月中旬宣布,只有少数手机宣布他们将搭载骁龙855 Plus - 不出所料,像华硕ROG手机2这样的游戏手机——而其他一些手机则传言将搭载骁龙855 Plus,比如三星Galaxy Note 10。
只不过,搭载骁龙855 Plus的5G手机还没上市便被中国移动判了死缓。
此前,中国移动曾表示过,自2020年开始,国内将不会允许单模NSA手机入网。由此可以看出,搭载骁龙855 Plus处理器的5G手机只有四个月的发布时间。在前有巴龙5000后有骁龙X55双重夹击的情况下,骁龙855Plus搭配骁龙X50的5G上网组合无异于被中国移动判了死缓。加之外挂芯片本身就会出现耗电、发热严重等问题,因此厂商基本不会选择使用骁龙855Plus搭配骁龙X50芯片。
而对于消费者来讲,骁龙855Plus的出现其实并没有太大意义。今年下半年,华为、苹果、三星都会推出自己的机皇产品,而目前三款旗舰的处理器也已经被提前确定,华为Mate30系列会配备全新的麒麟985处理器,使用二代7nm工艺制成,制作工艺比骁龙855Plus更加先进。而三星Note10系列则是会配备骁龙855处理器,并不会使用Plus版本。苹果则是有自己独家的A13芯片。
如此看来,骁龙855 Plus在面对麒麟985以及苹果A13两款产品时并不能起到性能压制作用,反而会因为严重的耗电问题以及过热问题被不少消费者拒绝。而在5G方面,巴龙5000以及骁龙X55均是兼容NSA以及SA组网,明显要比骁龙X50更有吸引力。
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