IPL60R365P7AUMA1 MOSFET

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IPL60R365P7AUMA1            全新原装正品      全系列优势英飞凌MOSFET管  公司大量原装现货   欢迎来电咨询！！优化功率MOSFET 兼具高能效和易用性600V CoolMOS™ P7是600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。特征描述效率 600V P7 支持优异 FOM R DS(on)xE oss 和 R DS(on)xQ G使用方便集成 ESD 二极管，从 180mN 起且高于 R DS(on)集成栅极电阻器 R G坚固体二极管涵盖通孔和表面封装的丰富产品线标准级和工业级部件可供选择优势效率 优异 FOM R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss，实现更高效率使用方便 避免 ESD 故障，在制造环境中确保易用性集成R G降低 MOSFET 振荡敏感度MOSFET 适用于 PFC 和 LLC 等硬开关拓扑和谐振开关拓扑在 LLC 拓扑中体二极管通信中具有优异稳健性广泛适用于各种终端应用和输出功率可选部件适用于消费和工业应用潜在应用

电视电源工业 SMPS服务器通信照明  ParametricsIPL60R365P7      Budgetary Price €/1k                   0.76                                ID  (@25°C)        max                  10.0 A                   ID max                  10.0 A                   IDpulsmax                  26.0 A                   Mounting                   SMT                   Operating Temperature        minmax            -40.0 °C        150.0 °C                   Ptotmax                  46.0 W                   Package                   ThinPAK 8x8                   Pin Count                   5.0 Pins                               Polarity                   N                   QG (typ @10V)                   13.0 nC                               QG      13.0 nC                               Qgd      4.0 nC                               RDS (on) (@10V)        max                  365.0 mΩ                   RDS (on)max                  365.0 mΩ                   Rth      2.73 K/W                               RthJAmax                  62.0 K/W                   RthJCmax                  2.73 K/W                   Special Features                   price/performance                   VDSmax                  600.0 V                   VGS(th)minmax            3.0 V        4.0 V