供应IPB65R150CFDA

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深圳市斌腾达科技有限公司

联系人：朱先生

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描述:650V CoolMOS™ CFDA Superjunction (SJ) MOSFET is Infineon's second generation of market leading automotive qualified high voltage CoolMOS™ power MOSFETs. In addition to the well-known attributes of high quality and reliability required by the automotive industry, the 650V CoolMOS™ CFDA series provides also an integrated fast body diode.特征描述:First 650V automotive qualified technology with integrated fast body diode on the marketLimited voltage overshoot during hard commutation – self limiting di/dt and dv/dtLow gate charge value Q gLow Q rr at repetitive commutation on body diode & low Q ossReduced turn on and turn of delay timesCompliant to AEC Q101 standard优势:Increased safety margin due to higher breakdown voltageReduced EMI appearance and easy to design inBetter light load efficiencyLower switching lossesHigher switching frequency and/or higher duty cycle possibleHigh quality and reliability目标应用:Unidirectional and bidirectional DC-DC converterBattery chargerHID lighting

指标参数ParametricsIPB65R150CFDA      Budgetary Price €€/1k                   1.81                                Encryption                   no                   ID  (@25°C)        max                         22.4 A                   ID         max                         22.4 A                   IDpuls        max                         72.0 A                   Language                   PSpice                   Mounting                   SMT                   Ptot        max                         195.3 W                   Package                   D2PAK (TO-263)                   Pin Count                   3.0 Pins                               Polarity                   N                   Product Category                   Power MOSFET HV CoolMOS™                   QG (typ @10V)                   86.0 nC                               QG                   86.0 nC                               RDS (on) (@10V)        max                         150.0 mΩ                   RDS (on)        max                         150.0 mΩ                   Rth                   0.64 K/W                               RthJA        max                         62.0 K/W                   RthJC        max                         0.64 K/W                   Simulator                   OrCAD      ;      SIMetrix      ;      TINA                   Special Features                   automotive                   Technology                   CoolMOS™ CFDA                   VDS        max                         650.0 V                   VGS(th)        min  max                   3.5 V        4.5 V 

在中国芯片产业的发展过程中，国内企业在不断探索更快的发展道路，比如通过并购拿到先进技术，但是目前看这条通道已经关闭，也寄希望于打造新兴产业实现弯道超车，比如新能源汽车、AI、物联网。这些新兴领域无疑是未来科技发展的大趋势，中国芯片厂商是否在这些领域有更快的成长机会呢？

海思半导体影像事业部总经理吕宽亮从海思自身的发展过程中提出了几个问题，他表示，AI是业界都认同的未来行业大趋势，我们的产品线是从战壕里打出来，比较接地气，但是在打的过程中也看到几个问题：所谓AI发展是雷声大雨点小，从芯片出货，到产业规模，都没有达到预期，我们内部也在分析原因，总结起来有几点：第一，AI不能泛泛地谈，要有应用场景，要和细分市场结合起来，在细分领域讲应用；第二，关于 AI，在每个细分市场没有标准，例如，每个平安城市都有差异化需求，因此复制的成本相当高；第三，在技术方面，虽然国内从芯片到算法都得到了很大的提高，但是算法准确度没有达到预期，例如，相机在2米高白天测量准确率是90%，到晚上黑白模式下准确度70%，全彩模式下准确率只有60%。AI主芯片在图相侧的成本差价并不高，但是AI相机却卖得很贵，主要原因是：第一，对毛利率的需求；第二，算法公司的算法比产品还贵，所以发展不起来。如果想发展起来，需要政府、研究机构等共同推动标准制定，各行各业的专家们共同推动技术发展；第三，需要产业界共同抱团把量做起来，产业才能发展起来。

华大半导体MCU副总经理赵琴琴从市场层面做了分析，她表示，物联网产品非常贴近IoT，MCU作为核心器件，在中间模组占比大约30%，随着物联网应用的兴起，这将是一个万亿级市场，如果做起来，中国芯MCU市场也会起来，华大推出了超低功耗MCU产品，将IoT对功耗的需求做到了极致。

圣邦微副总经理杨毅也分析了中国芯片市场的困境，他解释，中国芯最大的机会是中国市场很大，中国进口芯片加上中国自产芯片，大约消耗全球半导体的70%，我们有先天的市场优势，作为模拟公司，不像AI 和手机平台，通过特定应用就能爆发，模拟芯片是基础工作，我们有17条产品线，尽管如此，每年1亿美金的销售额也只是TI的1%，国内公司有很多工作需要补。国内初创公司的优势在于，在一些新兴应用市场更靠近客户，比跨国公司的响应速度快很多。

澜至半导体蒋益杰更看好语音市场，他表示，目前芯片的算力没问题，但是算法是国内的瓶颈，虽然国内厂商也在做算法，但是重要的算法还是由国外厂商掌握，在这种情况下，即使芯片公司开发出芯片，生态系统还是要依赖国外厂商，国内公司在算法方面还要加强。在物联网领域，边缘计算、本地计算等部分还有深挖的机会。从芯片发展的角度来看，中国芯产业发展的困局不仅是芯片的问题，还包括软件算法，芯片和软件这两点都做好很重要。

面对AI算法的问题，海思的吕宽亮做了进一步解释，他强调，AI首先是一种能力，作为芯片，我们是搭台的不是唱戏的，但是我们也要懂唱戏是怎么回事。目前算法差异化很大，获取成本高，这需要整个生态系统一起来培育，产品需要实战打出来，中国芯论坛不仅针对芯片，还需要针对设备商、软件提供商。有人说生态是烤地瓜，大家需要一起围着这个火做大，这需要整个产业链共同努力，算法是一个重要的土壤，不是某一个公司可以做好的