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制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSDSON-8通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:40 ARds On-漏源导通电阻:2.7 mOhmsVgs th-栅源极阈值电压:1.2 VVgs - 栅极-源极电压:20 VQg-栅极电荷:35 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:52 W配置:Single通道模式:Enhancement商标名:OptiMOS封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:1.1 mm 长度:3.3 mm 系列:OptiMOS 5 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:3.3 mm 商标:Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值:46 S 下降时间:3 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:4 ns 工厂包装数量:5000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:19 ns 典型接通延迟时间:4 ns 零件号别名:BSZ034N04LS SP001067020

DRAM芯片行业过去始终受到供过于求和需求疲软的困扰，然而其价格在一周内却猛涨了15%。此前日本收紧了对韩国多种芯片制造材料的出口限制，而韩国是全球最大的两家存储芯片制造商三星和SK Hynix总部所在地。

需要澄清的是，行业跟踪公司DRAMeXchange显示的存储芯片价格飙升指的是现货市场，因为大多数主要科技公司都是通过签署中长期合同进行采购的，现货市场占内存芯片领域的比例还不到十分之一。

几位业内人士表示，在这种背景下，iPhone制造商苹果等主要客户尚未开始囤积存储芯片，但价格飙升已开始加剧人们的担忧，即日本的限产措施将很快影响全球供应。

Bernstein分析师马克·纽曼(Mark Newman)表示：“如果日本出口限制继续延续，存储芯片价格将出现前所未有的飙升，因为75%的DRAM和45%的NAND全球产出都面临风险，毕竟韩国在这些内存芯片供应方面占据主导地位。”

韩国一家芯片制造商的消息人士表示，客户正“密切关注形势”，但“由于需求仍然疲软，目前仍采取了观望态度”。

三星和SK Hynix拒绝置评。但索尼子公司Vaio的发言人表示：“如果这种影响成为现实，我们将需要应急计划，选项包括寻找韩国以外的替代芯片供应商。”不过这位发言人称，这家日本电脑制造商的业务尚未受到冲击。

全球最大的合同芯片制造商台积电已经发布警告称，日本的高科技材料出口限制将是影响第四季度业绩的“最大不确定性因素”。

应急预案

日本收紧了对三种芯片制造材料的出口限制，包括用于智能手机屏幕的氟化聚酰亚胺、用于将电路图案转移到半导体晶片上的光刻胶以及在制造芯片时用作蚀刻气体的氟化氢。

韩国工业数据显示，今年前五个月，韩国94%的氟化聚酰亚胺、92%的光刻胶以及44%的氟化氢来自日本。韩国表示，它正在寻求使其供应链更加独立的方案，并希望能从俄罗斯和中国获得更多氟化氢。

据当地媒体报道，韩国正在考虑降低来自其他国家的这些产品的进口关税，以填补任何潜在的供应缺口。

研究公司TrendForce表示：“我们确实看到某些(芯片)模块制造商根据材料限制提高报价或宣布停产的迹象。”

在NAND闪存市场，日本东芝(Toshiba)内存上个月因停电而停产也损害了供应。东芝Memory消息人士表示，该工厂于7月中旬恢复运营，但发货量完全恢复还需要一段时间，该公司仍在赶工现有订单。

经纪公司瑞银(UBS)本周表示，预计第三季度NAND合同芯片价格将下降5%，低于此前预测的10%的季度环比降幅，理由是东芝的减产和日本的出口限制。但该公司保持对DRAM合同价格下降17%的预测不变。

NAND芯片存在于移动设备以及存储卡、USB闪存驱动器和固态驱动器中，而DRAM用于支持电子设备执行多任务。

Bernstein的分析师纽曼表示，芯片价格上涨带来的明显赢家将是美光、东芝、Nanya和西部数据。他说：“三星和SK Hynix虽然可能受到生产问题的影响，但也将受益于价格大幅上涨，具有讽刺意味的是，它们仍可能是赢家。”

自日本7月1日宣布限制出口以来，美光的股价上涨了12%，而西部数据和SK Hynix的股价分别上涨了8%和7%，Nanya股价则上涨了5%。

然而，三星的股价在这段时间里下跌了2%，原因是该公司预测，由于内存芯片价格暴跌，第二季度利润将暴跌56%。