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产品属性
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1. 概述与特点
4N60型MOS晶体管,主要用于线性放大,功率开关,其特点如下:
2.电特性与参数
电特性(TC=25℃,除非有其他的温度存在)
极限参数(TC=25℃)
参数
符号
额定值
单位
Parameter
Symbol
Value
Unit
BitmapBitmap
最大漏源电压
VDSS
600
V
最大持续漏极电流TC=25℃
ID
4
A
漏极脉冲电流
IDM
16
A
栅源电压
VGS
±30
V
雪崩电流
IAR
4.4
A
单脉冲雪崩能量
EAR
10.6
MJ
重复脉冲雪崩能量
EAS
260
MJ
最大耗散功率TC=25℃
PD
36
W
工作结温
Tj
150
℃
贮存温度
Tstg
-55~150
℃
热阻 (TC=25℃)
参数 | 符号 | 额定值 | 单位 | TO-220F | ||||
Parameter | Symbol | Value | Unit | |||||
热阻结到管壳 | Rth(j-c) | 3.47 | ℃/W | |||||
热阻结到环境 | Rth(j-a) | 62.5 | ℃/W |
本公司专业生产销售半导体三极管、 MOS管、可控硅、 三端稳压等晶体管,长期以来主要为节能照明、家用电器、电源、音响、汽车电子、电控玩具等配套,主要以中大功率为主,本公司长期供应的主要产品有:
1300系列:13001(0.66芯片、0.76芯片、0.83芯片)、13002(1.0芯片、1.18芯片)、13003(1.18芯片、1.32芯片、1.43芯片、1.63芯片、1.84芯片)、13005(1.63芯片、1.84芯片、2.25芯片、2.38芯片、2.52芯片)、13007(3.3芯片)
MOS管:1N60(TO-92)、1N60(TO-220)、2N60(TO-220)、2N60(TO-251)、2N60(TO-252)、4N60(TO-220)、4N60(TO-220F)、4N60(TO-251)、4N60(TO-252)、7N60(TO-220F)、IRF630、IRF640、IRF730、IRF740、IRF830、IRF840
可控硅:100-6、100-8、97A6、97A8、BT169D、BT131、PCR406、PCR606、X0605、Z0607、XL1225、BT134、2P4M、BT136
TO-92L:2SC2382、2SC2482、2SC2655、2SD667、2SB764、2SB892、2SA1013、2SD400、 HIT5609、HIT5610、2SD882、2SB772
TO-220:2SD2012、2SC4544、TIP31C、TIP32C、TIP41、TIP42、TIP122、TIP127、2SD880、7805、7812等,
TO-126: 2SD882、2SB772、2SC2688、2SC3807、78L05、TL431。
质量,价格优惠,欢迎广大用户选用。
联系: (胡) 商务QQ: 2856590898
4N60(TO-220F)
高望电子
TO-220F
普通型
直插式
盒带编带包装
超大功率