场效应管(MOSFET) > P沟道 40V 180A >IPB180P04P4L02ATMA2

IPB180P04P4L-02是OptiMOS P2 P通道逻辑电平增强模式功率晶体管的特点，

用于反向电池保护，高侧驱动不需要电荷泵，接口驱动电路简单。

IPB180P04P4L02ATMA2
应用：电源管理, 电机驱动与控制, 车用

商品：场效应管(MOSFET)

类型：P沟道
漏源电压(Vdss)：40V
连续漏极电流(Id)：180A
功率(Pd)：150W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.4mΩ@100A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@410uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：286nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)：18.7nF@25V

工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)

受欢迎的功率场效应晶体管，大量现货

BSS138BK,215

IPB180P04P4L02ATMA2
IPB017N10N5LFATMA1
IRLML6401TRPBF
BSS138W
IRLML9301TRPBF
2N7002BKW,115
BSS138BKS,115
FDB33N25TM
NTD20P06LT4G
FQD12N20LTM
SUM110P08-11L-E3
NDT2955
IPW65R045C7FKSA1
2N7002PS,115
FQP3P50
IPU80R4K5P7AKMA1
IPW65R019C7FKSA1
NTD2955T4G
IPD90P04P4L04ATMA2
IXTA06N120P
FQD12N20LTM-F085
IPB65R110CFDATMA1
BSS123L
NTD20P06LT4G
IRFR5305TRPBF
IRF4905STRLPBF
IRLML6402TRPBF
FDMS86263P
FQP3P50
IRLR2908TRPBF