场效应管 MOS管 IRF9530 *原装

IRF9530 概述

IR的第五代HEXFETs功率场效应管IRF9530采用*的工艺技术制造，具有*低的导通阻*。IRF9530这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得IRF9530成为*其**、应用范围*广的器件。
　　TO-220封装的IRF9530普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和*的TO-220封装，使IRF9530得到业内的普遍*。D2Pak封装的IRF9530适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率*高，导通阻*。TO-262是IRF9530的通孔安装版，适合较低端的应用。

IRF9530 特性

• *的工艺技术
• 贴片安装 - IRF9530NS
• 低端通孔安装 - IRF9530NL
• 动态dv/dt率
• 170℃工作温度
• 快速转换速率
• P型沟道
• 无铅*
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