【原装*IR 国际整流器】mos管 IRFBG30

地区:广东 广州
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标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点漏*源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° CId 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs输入电容 (Ciss) @ Vds功率 - *大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装其它名称
1,000分离式半导体产品
FET - 单-
MOSFET N 通道,金属氧化物标准型
1000V(1kV)3.1A
5 欧姆 @ 1.9A,10V4V @ 250µA
80nC @ 10V980pF @ 25V
125W通孔
TO-220-3TO-220AB
管件
品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRFBG30

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

L/功率放大

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道