原装台湾富晶场效应管FS8205A TSSOP-8 N沟道 20V 6A

20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET   20V N-沟道增强型 MOS
 VDS= 20V

RDS(ON)=25mΩ   MAX.(Vgs=4.5V,Id=6A)
RDS(ON)=32Ω   MAX.(Vgs=2.5V,Id=5A)

Features   特性
Advanced trench process technology   高级的加工技术
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance  *低的导通电阻高密度的单元设计
High Power and Current handing capability   大功率、大电流
Ideal for Li ion battery pack applications   理想的锂电池应用