原装台湾富晶场效应管FS8205S SOT-23-6L N沟道 20V 5A

20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET   20V N-沟道增强型 MOS
 VDS= 20V
RDS(ON),,= 38m?
RDS(ON),,Ids@5A= 28m? 
Features   特性
Advanced trench process technology   高级的加工技术
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance  *低的导通电阻高密度的单元设计
High Power and Current handing capability   大功率、大电流
Ideal for Li ion battery pack applications   理想的锂电池应用