NTHD2102PT1G/复合双管 P沟道场效应管MOSFET 8V 4.6A ChipFET/ON

地区:广东 深圳
认证:

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【产品展示图】



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【产品参数】


 





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品牌/商标

ON/安森美

型号/规格

NTHD2102PT1G

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

2 个 P 沟道(双)

导电方式

增强型

用途

UNI/一般用途

封装外形

8-SMD,扁平引线

材料

P-FET硅P沟道

耗散功率PD

1.1W

漏*电流ID

-3.4A

源漏电压VDSS

-8V