供应AP0603A0836HNTR场效应管

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认证:

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AP0603A0836HNTR   原装*X

 
*及科技基金的贴片耦合器是基于薄膜多层技术。
该技术提供了一个小型的一部分具有优良的高频
性能和坚固耐用的建设提供*的自动装配。
*及科技基金的耦合提供了各种频段兼容
各类高频无线系统。
品牌/商标

*X

型号/规格

AP0603A0836HNTR

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MOS-INM/*组件

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

ALGaAS铝镓砷