图文详情
产品属性
相关推荐
过去,硅TVS器件由于电容高,在保护低压高速信号线路方面存在劣势。然而,近年来的技术进步消除了这种不利因素。安森美半导体的新产品ESD9L5.0将硅器件保护的优势与高速应用要求的低电容结合在一起。这个产品的特性就像一个简单的齐纳二极管。事实上,ESD9L5.0包含一个击穿电压低的齐纳二极管和一对击穿电压高(因而电容小)的标准二极管。
瞬态抑制二极管是一种能把瞬态电压抑制在被保护元件能承受的安全水平的高效能保护器件。瞬态电压是交流电路上电流与电压的一种瞬时态的畸变,会对微电子半导体芯片造成损坏。虽然有些微电子半导体芯片受到瞬态电压侵袭后,它的性能没有明显的下降,但是多次累积的侵袭会给芯片器件造成内伤而形成隐患。瞬态抑制二极管能够有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。
公司分销:AMAZING、ROHM、NXP、ON、Panasoic、TOSHIBA、HITACHI、FAIRCHILD、IR 等各种片状稳压、ESD静电保护,TVS抑制管,高分子ESD保护,场效应、达林顿、变容、二、三极管。经销的产品广泛用于消费累电子、LED、家电、网络通讯、安防、汽车电子、航空、电表、仪器仪表、电源、计算机及外设等行业。
二极管的特性举例
1、正向特性:二极管外加正向偏置电压时的V-I特性
对应于第①段的正向特性,此时加于二极管的正向电压只有零点几伏,但相对来说流过管子的电流却很大,因此管子呈现的正向电阻很小。但是,在正向特性的起始部分,由于正向电压较小,外电场还不足以克服PN结的内电场,因而这时的正向电流几乎为零,二极管呈现出一个大电阻,好像有一个门坎。 硅管的门坎电压Vth(又称死区电压)约为0·5V,锗管的Vth约为0·lV,当正向电压大于Vth时,内电场大为削弱,电流因而迅速增长。
2、反向特性:二极管外加反向偏置电压时的V-I特性
P型半导体中的少数载流子(电子)和N型半导体中的少数载流子(空穴),在反向电压作用下很容易通过PN结, 形成反向饱和电流。但由于少数载流子的数目很少, 所以, 一般硅管的反向电流比锗管小得多,其数量级为:硅管nA级,锗管大mA级。
温度升高时,由于少数载流子增加,反向电流将随之急剧增加。
3、反向击穿特性:二极管击穿时的V-I特性
当增加反向电压时, 因在一定温度条件下, 少数载流子数目有限,故起始一段反向电流没有多大变化,当反向电压增加到一定大小时,反向电流剧增,这叫做二极管的反向击穿, 对应于第③段,其原因与PN结击穿相同。
UCLAMP0541Z.TNT
SEMTECH(商升特)
O201
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
供应ESD保护二极管CPDQR3V3R现货CPDQR3V3R
供应ESD防静电ESDALC6V1-1U2二极管ESDALC6V1-1U2
供应ESD防静电ESD9P5.0ST5G二极管ESD9P5.0ST5G
供应ESD防静电PESD12VS1UL二极管PESD12VS1UL
供应ESD保护二极管ESD24VL1B-02LS现货ESD24VL1B-02LS
供应ESD保护二极管AZ5725-01F热卖
供应ESD防静电UM50129静电保护二极管UM50129
供应ESD防静电AOZ8211DI-03静电保护二极管AOZ8211DI-03
供应ESD防静电CD1005-T05C静电保护二极管CD1005-T05C
供应ESD保护二极管EGA10603V24B0现货EGA10603V24B0