供应ESD防静电SSESD03C静电保护二极管SSESD03C

特点

 ESD保护最小化传输差分信号（TMDS）信道保护四个I / O线

每一行提供ESD保护IEC61000-4-2（ESD）±15kV（空气），±10kV的（接触）

IEC61000-4-5（闪电）3.5A（8/20μS）

工作电压为5V及以下

超低电容：典型值为0.5pF

快速的开启和低钳位电压

内部的ESD二极管阵列

相当于TVS（瞬态电压抑制）二极管

简化布局HDMI连接器

固态硅雪崩和有源电路触发技术绿色部分

ESD保护元件比较

对应力有不对称敏感度的电路节点，可能需要只有TVS二极管产品才能提供的单向保护。高速应用要求非常低的电容，这使得使聚合物器件具有吸引力。聚合物器件可以满足对低电容和保护能力的要求。为了让聚合物TVS产品可以用在高速应用中，高速节点需要在瞬态高压下工作以导通聚合物TVS，并在导通模式下提供中等阻抗。

二极管的特性举例

   1、正向特性：二极管外加正向偏置电压时的V-I特性

对应于第①段的正向特性，此时加于二极管的正向电压只有零点几伏，但相对来说流过管子的电流却很大，因此管子呈现的正向电阻很小。但是，在正向特性的起始部分，由于正向电压较小，外电场还不足以克服PN结的内电场，因而这时的正向电流几乎为零，二极管呈现出一个大电阻，好像有一个门坎。 硅管的门坎电压Vth(又称死区电压)约为0·5V，锗管的Vth约为0·lV，当正向电压大于Vth时，内电场大为削弱，电流因而迅速增长。

2、反向特性：二极管外加反向偏置电压时的V-I特性

P型半导体中的少数载流子（电子）和N型半导体中的少数载流子（空穴），在反向电压作用下很容易通过PN结， 形成反向饱和电流。但由于少数载流子的数目很少， 所以， 一般硅管的反向电流比锗管小得多，其数量级为：硅管nA级，锗管大mA级。

温度升高时，由于少数载流子增加，反向电流将随之急剧增加。

3、反向击穿特性：二极管击穿时的V-I特性

当增加反向电压时， 因在一定温度条件下， 少数载流子数目有限，故起始一段反向电流没有多大变化，当反向电压增加到一定大小时，反向电流剧增，这叫做二极管的反向击穿， 对应于第③段，其原因与PN结击穿相同。