供应ESD防静电UESD6V8L1F静电保护二极管UESD6V8L1F

地区:广东 深圳
认证:

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公司分销:AMAZINGROHMNXPONPanasoicTOSHIBAHITACHIFAIRCHILDIR 等各种片状稳压、ESD静电保护TVS抑制管,高分子ESD保护,场效应、达林顿、变容、二、三极管。经销的产品广泛用于消费累电子、LED、家电、网络通讯、安防、汽车电子、航空、电表、仪器仪表、电源、计算机及外设等行业。

特点

 ESD保护最小化传输差分信号(TMDS)信道保护四个I / O线

每一行提供ESD保护IEC61000-4-2ESD)±15kV(空气),±10kV的(接触)

IEC61000-4-5(闪电)3.5A8/20μS

工作电压5V及以下

超低电容:典型值为0.5pF

快速的开启和低钳位电压

内部的ESD二极管阵列

相当于TVS(瞬态电压抑制)二极管

简化布局HDMI连接器

固态硅雪崩和有源电路触发技术绿色部分

ESD保护元件比较

对应力有不对称敏感度的电路节点,可能需要只有TVS二极管产品才能提供的单向保护。高速应用要求非常低的电容,这使得使聚合物器件具有吸引力。聚合物器件可以满足对低电容和保护能力的要求。为了让聚合物TVS产品可以用在高速应用中,高速节点需要在瞬态高压下工作以导通聚合物TVS,并在导通模式下提供中等阻抗。

二极管的特性举例

   1、正向特性:二极管外加正向偏置电压时的V-I特性

对应于第①段的正向特性,此时加于二极管的正向电压只有零点几伏,但相对来说流过管子的电流却很大,因此管子呈现的正向电阻很小。但是,在正向特性的起始部分,由于正向电压较小,外电场还不足以克服PN结的内电场,因而这时的正向电流几乎为零,二极管呈现出一个大电阻,好像有一个门坎。 硅管的门坎电压Vth(又称死区电压)约为0·5V,锗管的Vth约为0·lV,当正向电压大于Vth时,内电场大为削弱,电流因而迅速增长。

2、反向特性:二极管外加反向偏置电压时的V-I特性

P型半导体中的少数载流子(电子)和N半导体中的少数载流子(空穴),在反向电压作用下很容易通过PN结, 形成反向饱和电流。但由于少数载流子的数目很少, 所以, 一般硅管的反向电流比锗管小得多,其数量级为:硅管nA级,锗管大mA级。

温度升高时,由于少数载流子增加,反向电流将随之急剧增加。

3、反向击穿特性:二极管击穿时的V-I特性

当增加反向电压时, 因在一定温度条件下, 少数载流子数目有限,故起始一段反向电流没有多大变化,当反向电压增加到一定大小时,反向电流剧增,这叫做二极管的反向击穿, 对应于第③段,其原因与PN结击穿相同。

 

型号/规格

UESD6V8L1F

品牌/商标

UNION

封装形式

DFN2

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装