供应电涡流传感器测量化学沉淀

化学气相沉淀法是一种将原材料加热升华呈气态，不经过液态，直接在种晶上再结晶出单晶宝石材料，以及在诱导结晶的材料上结晶出多晶薄膜的工艺方法。比宝石 级合成α碳硅石，以及在钻石或立方氧化锆表面生长的一层无色透明聚晶金刚石膜，都是化学气相沉淀法的产物。这个就需要对硅晶片的水平位置有较高的要求，所 以我们要对其进行测量和调试。

我们在硅晶片座上镶嵌一定数量的电涡流KD2306探头来推硅晶片的放置水平度进行密集的测量。从而判断硅晶片的放置水平度，再通过执行机构对硅晶片的载体进行微调，以达到适合通过化学气相沉淀条件，完成化学气相沉淀法测量。

电涡流在化学气相沉淀上的应用示意图

成都洪胜科技有限公司

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电涡流传感器工作原理：电涡流效应

    当接通传感器系统电源时，在前置器内会产生一个高频信号，该信号通过电缆送到探头的头部，在头部周围产生交变磁场H1。如果在磁场H1的范围没有金属导体接近，则发射到这一范围内的能量都会被释放；反之，如果有金属导体接近探头头部，则交变磁场H1将在导体的表面产生电涡流场，该电涡流场也会产生一个方向与H1相反的交变磁场H2。由于H2的反作用，就会改变探头头部线圈高频电流的幅度和相位，即改变了线圈的有效阻抗。这种变化与电涡流效应有关，也与静磁学效应有关（与金属导体的电导率、磁导率、几何形状、线圈几何参数、激励电流频率以及线圈到金属导体的距离参数有关）。假定金属导体是均质的，其性能是线形和各向同性的，则线圈——金属导体系统的磁导率u、电导率σ、尺寸因子r、线圈与金属导体距离δ线圈激励电流I和频率ω等参数来描述。因此线圈的阻抗可用函数Z=F（u，σ，r，δ，I，ω）来表示。  如果控制u，σ，r，I，ω恒定不变，那么阻抗Z就成为距离的单值函数，由麦克斯韦尔公式，可以求得此函数为一非线形函数，其曲线为“S”型曲线，在一定范围内可以近似为一线形函数。通过前置器电子线路的处理，将线圈阻抗Z的变化，即头部体线圈与金属导体的距离δ的变化转化成电压或电流的变化。输出信号的大小随探头到被测体表面之间的间距而变化，电涡流传感器就是根据这一原理实现对金属物体的位移、振动等参数的测量。