IRF4905PBF IR分立半导体产品

Digi-Key 零件编号
 IRF4905PBF-ND 
现有数量
  42,407
可立即发货
 制造商
Infineon Technologies 
 制造商零件编号
 IRF4905PBF 

类别
分立半导体产品   
晶体管 - FET，MOSFET - 单   

制造商
Infineon Technologies 

系列
HEXFET®  

包装 ?
管件 ?  

零件状态
在售  

FET 类型
P 沟道  

技术
MOSFET（金属氧化物）  

漏源电压（Vdss）
55V  

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
74A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V  

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA  

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
180nC @ 10V  

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3400pF @ 25V  

Vgs（最大值）
±20V  

FET 功能
-  

功率耗散（最大值）
200W（Tc）  

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
20 毫欧 @ 38A，10V  

工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）  

安装类型
通孔  

供应商器件封装
TO-220AB  

封装/外壳
TO-220-3 

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这一栏有四个频率，上下两组容易区分，就是不同的电压。在频率确定时，动态功耗是电压的2次方，这个大家都知道。而左右两组数字的区别就是Corner了，分别为TT和SSG。
下一行是Optimization PVT。大家都知道后端EDA工具其实就是解方程，需要给他一个优化目标，它会自动找出最优局部解。而1.0V和0.9V中必须选一个值，作为最常用的频率，功耗和面积的甜点（Sweet Spot）。这里是选了1.0V，它的SSG和目标要求更接近，那些达不到的Corner可以作为降频贱卖。