IRF4905PBF IR分立半导体产品

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Digi-Key 零件编号
 IRF4905PBF-ND 
现有数量
  42,407
可立即发货
 制造商
Infineon Technologies 
 制造商零件编号
 IRF4905PBF 

类别
分立半导体产品   
晶体管 - FET,MOSFET - 单   

制造商
Infineon Technologies 

系列
HEXFET®  

包装 ?
管件 ?  

零件状态
在售  

FET 类型
P 沟道  

技术
MOSFET(金属氧化物)  

漏源电压(Vdss)
55V  

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
74A(Tc)  

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V  

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA  

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
180nC @ 10V  

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3400pF @ 25V  

Vgs(最大值)
±20V  

FET 功能
-  

功率耗散(最大值)
200W(Tc)  

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
20 毫欧 @ 38A,10V  

工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)  

安装类型
通孔  

供应商器件封装
TO-220AB  

封装/外壳
TO-220-3 

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这一栏有四个频率,上下两组容易区分,就是不同的电压。在频率确定时,动态功耗是电压的2次方,这个大家都知道。而左右两组数字的区别就是Corner了,分别为TT和SSG。
下一行是Optimization PVT。大家都知道后端EDA工具其实就是解方程,需要给他一个优化目标,它会自动找出最优局部解。而1.0V和0.9V中必须选一个值,作为最常用的频率,功耗和面积的甜点(Sweet Spot)。这里是选了1.0V,它的SSG和目标要求更接近,那些达不到的Corner可以作为降频贱卖。
系列

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类别

分立半导体产品

产品族

晶体管 - FET,MOSFET - 单

电压-电阻

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