图文详情
产品属性
相关推荐
AOL1428介绍;
描述 MOSFET N-CH 30V 49A 8ULTRASO
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 12.4A(Ta),49A(Tc) 2.2W(Ta),43W(Tc) UltraSO-8™
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列 -
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 停產
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12.4A(Ta),49A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 18nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1000pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),43W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 9.5 毫欧 @ 20A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 UltraSO-8™
封装/外壳 3-PowerSMD,引线
安富利(深圳)商贸有限公司介绍;
安富利(深圳)商贸有限公司,全球最专业的配单专家。一手货源!价格优势!所出的物料,绝对原装正品!放心购买!
公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philips)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦等等。
本公司为一般纳税人,可开17%增值税票!欢迎垂询!
地址:深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201
由于其响应速度快,准确性高,晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能,包括放大,开关,稳压,信号调制和振荡器。晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域,可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。
-
集成电路(IC)
-
-