IRF840PBF IR分立半导体产品

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Digi-Key 零件编号
 IRF840PBF-ND 
现有数量
  9,937
可立即发货
 制造商
Vishay Siliconix 
 制造商零件编号
 IRF840PBF 

类别
分立半导体产品   
晶体管 - FET,MOSFET - 单   

制造商
Vishay Siliconix 

系列
-  

包装 ?
管件 ?  

零件状态
在售  

FET 类型
N 沟道  

技术
MOSFET(金属氧化物)  

漏源电压(Vdss)
500V  

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8A(Tc)  

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V  

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA  

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
63nC @ 10V  

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1300pF @ 25V  

Vgs(最大值)
±20V  

FET 功能
-  

功率耗散(最大值)
125W(Tc)  

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
850 毫欧 @ 4.8A,10V  

工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)  

安装类型
通孔  

供应商器件封装
TO-220AB  

封装/外壳
TO-220-3 

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9月18日,中国半导体协会集成电路设计分会与中关村集成电路设计园联合组织的“中国集成电路设计业2017年会暨北京集成电路产业创新发展高峰论坛”(以下简称“2017年ICCAD年会”)新闻发布会在中关村集成电路设计园展示中心召开,北京市经信委、中半协集成电路设计分会相关领导出席发布会。来自相关政府部门、行业协会、企业代表、行业机构等近百人参加了此次会议。会议由中关村集成电路设计园公司董事长苗军主持。

系列

-

类别

分立半导体产品

产品族

晶体管 - FET,MOSFET - 单

电压-电阻

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