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产品属性
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Digi-Key 零件编号
IRFBF30PBF-ND
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
IRFBF30PBF
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装 ?
管件 ?
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
900V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
78nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1200pF @ 25V
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
125W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
3.7 欧姆 @ 2.2A,10V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
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