晶体管 IPW60R070P6 FET-MOSFET

IPW60R070P6介绍：

描述 MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-3

详细描述 通孔 N 沟道 600V 53.5A（Tc） 391W（Tc） PG-TO247-3

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 CoolMOS™ P6

包装    管件 

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 53.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 70 毫欧 @ 20.6A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 1.72mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 100nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4750pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 391W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 PG-TO247-3

封装/外壳 TO-247-3

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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