晶体管 IRF6712STRPBF MOSFET - 单

IRF6712STRPBF介绍：

描述 MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET

详细描述 表面贴装 N 沟道 25V 17A（Ta），68A（Tc） 2.2W（Ta），36W（Tc） DIRECTFET™ SQ

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET®

包装    带卷（TR） 

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Ta），68A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 4.9 毫欧 @ 17A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 50μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1570pF @ 13V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.2W（Ta），36W（Tc）

工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 DIRECTFET™ SQ

封装/外壳 DirectFET™ 等容 SQ

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晶体管在使用上有许多要注意的最大额定值，例如最大电压、最大电流、最大功率。在超额的状态下使用，晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪讯比等，可以借由晶体管规格表或是Data Sheet得知。

Infineon公司是全球十大半导体制造商之一。1999年5月1日，西门子半导体公司正式更名为Infineon，总部设在德国慕尼黑。主要生产汽车和工业电子芯片、保密及IC卡应用IC、通讯多媒体芯片、存储器件等。