晶体管 MMBT5551LT1G 半导体产品

地区:广东 深圳
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MMBT5551LT1G介绍:

描述 TRANS NPN 160V 0.6A SOT23

制造商标准提前期 36 周

详细描述 Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 600mA 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

类别 分立半导体产品

晶体管 - 双极 (BJT) - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包装   带卷(TR) 

零件状态 在售

晶体管类型 NPN

电流 - 集电极(Ic)(最大值) 600mA

电压 - 集射极击穿(最大值) 160V

不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 200mV @ 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值) 100nA

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V

功率 - 最大值 225mW

频率 - 跃迁 -

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)

基本零件编号 MMBT5551

安富利(深圳)商贸有限公司介绍:


公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦;


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晶体管在使用上有许多要注意的最大额定值,例如最大电压、最大电流、最大功率。在超额的状态下使用,晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性,像是直流放大率hfe、NF噪讯比等,可以借由晶体管规格表或是Data Sheet得知。


公司的全球总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯,并在北美、欧洲和亚太地区等关键市场运营包括制造厂、销售办事处和设计中心的强大网络。








型号/规格

MMBT5551LT1G

品牌/商标

ON(安森美)

封装形式

SOT-23-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特性

超大功率

频率特性

高频

极性

NPN型