晶体管 DMG3407SSN-7 MOSFET - 单

DMG3407SSN-7介绍：

描述 MOSFET P-CH 30V 4A SC59

制造商标准提前期 20 周

详细描述 表面贴装 P 沟道 30V 4A（Ta） 1.1W（Ta） SC-59

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Diodes Incorporated

系列 -

包装    带卷（TR） 

零件状态 在售

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 50 毫欧 @ 4.1A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 16nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 SC-59

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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晶体管在电路最常用的用途应该是属于信号放大这一方面，其次是阻抗匹配、信号转换等，晶体管在电路中是个很重要的元件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。

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