晶体管 LND250K1 FET-MOSFET

LND250K1介绍：

描述 MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3

制造商标准提前期 6 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 500V 13mA（Tj） 360mW（Ta） SOT-23（TO-236AB）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Microchip Technology

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13mA（Tj）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 0V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1000 欧姆 @ 500μA，0V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 10pF @ 25V

FET 功能 耗尽模式

功率耗散（最大值） 360mW（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 SOT-23（TO-236AB）

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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判定栅极G:将万用表拨至R×1k档，用万用表的负极任意接一电极，另一只表笔依次去接触其余的两个极，测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等，则负表笔所接触的为栅极，另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换，若两次测出的电阻都很大，则为N沟道;若两次测得的阻值都很小，则为P沟道。