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产品属性
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FQA7N80 介绍:
描述 MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 4 周
详细描述 通孔 N 沟道 800V 7A(Tc) 198W(Tc) TO-3PN
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 QFET®
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 800V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1680pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 198W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.9 欧姆 @ 3.5A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-3PN
封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3
安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
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QFET®
半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
10V