晶体管 FQA7N80 半导体产品

地区:广东 深圳
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FQA7N80 介绍:

描述 MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)

制造商标准提前期 4 周

详细描述 通孔 N 沟道 800V 7A(Tc) 198W(Tc) TO-3PN

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 QFET®

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 800V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V

Vgs(最大值) ±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1680pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 198W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.9 欧姆 @ 3.5A,10V

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-3PN

封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3

安富利(深圳)商贸有限公司介绍:


公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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由于其响应速度快,准确性,晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能,包括放大,开关,稳压,信号调制和振荡器。晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域,可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。




 

系列

QFET®

类别

半导体产品

产品族

晶体管 - FET,MOSFET - 单

电压

10V