晶体管 SPW32N50C3FKSA1 MOSFET

SPW32N50C3FKSA1介绍：

描述 MOSFET N-CH 560V 32A TO-247

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

详细描述 通孔 N 沟道 560V 32A（Tc） 284W（Tc） PG-TO247-3

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 CoolMOS™

包装 ? 管件 ?

零件状态 不適用於新設計

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 560V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 1.8mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 170nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4200pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 284W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 110 毫欧 @ 20A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 PG-TO247-3

封装/外壳 TO-247-3

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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MOSFET在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET，但是这些IGFET多半指的是MOSFET。