供应 SI2305CDS-T1-GE3 场效应管
地区：广东 深圳
认证：
无
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: - 8 V
Id-连续漏极电流: 4.4 A
Rds On-漏源导通电阻: 28 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 8 V
最大工作温度: + 150 C
技术: Si
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 20 ns
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 960 mW
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 3000
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
零件号别名: SI2305CDS-GE3
单位重量: 1.438 g
