制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
Id-连续漏极电流: 50 A
Vds-漏源极击穿电压: 250 V
Rds On-漏源导通电阻: 60 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Qg-栅极电荷: 78 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 400 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3P-3
封装: Tube
商标: IXYS
通道模式: Enhancement
下降时间: 25 ns
正向跨导 - 最小值: 35 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 25 ns
系列: IXTQ50N25
工厂包装数量: 30
典型关闭延迟时间: 47 ns
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