FDB6670AL
地区:广东 深圳
认证:
无
图文详情
产品属性
相关推荐
FDB6670AL中文资料:
以
制造商 | Fairchild Semiconductor |
制造商*件编号 | FDB6670AL |
描述 | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 单路 |
系列 | PowerTrench? |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C | 6.5 毫欧 @ 40A, 10V |
漏*至源*电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C | 80A |
Id 时的 Vgs(th)(*大) | 3V @ 250μA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 33nC @ 5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 2440pF @ 15V |
功率 - *大 | 68W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3, D2Pak (2 引线 接片), TO-263AB |
供应商设备封装 | D2PAK |
包装 | 带卷 (TR) |
FDB6670AL的订购及咨询:
深圳市丰尔电子有限公司,:;MSN:jason-yufo@;
商务;杨先生:. 更多详情请登录我们的网站:
FDB6670AL
结型JFET
新品
ALGaAS铝镓砷
耗尽型
N沟道