供应一系列双路增强型P沟道MOSFET场效应IC

30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET   -30V 双 P 沟道增强型 MOS 管
 
VDS= -30V
RDS(ON),Vgs@-10V,= 60mΩ
RDS(ON),,= 90mΩ 

家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳

FET - 阵列

PowerTrench®

2 个 P 沟道（双）

逻辑电平门

55 毫欧 @ 5A, 10V

30V

5A

3V @ 250µA

9nC @ 5V

528pF @ 15V

900mW

表面贴装

8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽)