产品属性 属性值
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 6 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.35 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 32 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 45 W
通道模式: Enhancement
商标名: MOSVIII
封装: Tube
配置: Single
高度: 15 mm
长度: 10 mm
系列: TK6A80E
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.5 mm
商标: Toshiba
下降时间: 15 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 85 ns
典型接通延迟时间: 55 ns
单位重量: 6 g
TK6A80E
TK6A80E
TK6A80E
TK6A80E
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